BSC060N10NS3G TDSON-8 N沟道大电流低内阻MOS场效应管 原装正品

时间:2022-4-20 9:32:00

BSC060N10NS3G

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 68 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 12 ns

正向跨导 - 最小值: 43 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 16 ns

系列: OptiMOS 3

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: BSC6N1NS3GXT SP000446584 BSC060N10NS3GATMA1

单位重量: 100 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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2025-8-14 14:57:00
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