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BFG19晶体管资料

  • BFG193别名：BFG193三极管、BFG193晶体管、BFG193晶体三极管

  • BFG193生产厂家：德国西门子AG公司

  • BFG193制作材料：Si-NPN

  • BFG193性质：超高频/特高频 （UHF）_宽频带放大 （A）

  • BFG193封装形式：贴片封装

  • BFG193极限工作电压：20V

  • BFG193最大电流允许值：0.08A

  • BFG193最大工作频率：8GHZ

  • BFG193引脚数：3

  • BFG193最大耗散功率：

  • BFG193放大倍数：

  • BFG193图片代号：H-99

  • BFG193vtest：20

  • BFG193htest：8000000000

  • BFG193atest：0.08

  • BFG193wtest：0

  • BFG193代换 BFG193用什么型号代替：

BFG19价格

参考价格：￥2.7000

型号：BFG198 品牌：NXP 备注：这里有BFG19多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BFG19批发/采购报价，BFG19行情走势销售排行榜，BFG19报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BFG19

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna)

•Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom10mAto70mA •CECC-typeavailable:CECC50002/259

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BFG19

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaand telecommunicationsystemsupto1.5GHz atcollectorcurrentsfrom10mAto70mA

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG193

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BFG193

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG193

Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BFG193

Low Noise Figure

DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BFG194

PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications)

•Forlowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BFG196

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications)

NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BFG196

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationsystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNSystems •fT=7.5GHz F=1.5dBat900GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG197

NPN 7 GHz wideband transistor

DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG197/X

NPN 7 GHz wideband transistor

DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG197/XR

NPN 7 GHz wideband transistor

DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG197SLASHX

NPN 7 GHz wideband transistor

DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG197SLASHXR

NPN 7 GHz wideband transistor

DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG198

NPN 8 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT223envelope,intendedforwidebandamplifierapplications. Thedevicefeaturesahighgainandexcellentoutputvoltagecapabilities.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BFG198

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BFG19S

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna)

•Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom10mAto70mA •CECC-typeavailable:CECC50002/259

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BFG19S

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaand telecommunicationsystemsupto1.5GHz atcollectorcurrentsfrom10mAto70mA

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG193

NPN Silicon RF Transistor

文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG193_07

NPN Silicon RF Transistor

文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG196

NPN Silicon RF Transistor

文件：62.87 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG196_07

NPN Silicon RF Transistor

文件：62.87 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG198,115

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

ETC

知名厂家

BFG198_15

NPN 8 GHz wideband transistor

文件：83.89 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BFG198_2015

NPN 8 GHz wideband transistor

文件：83.89 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BFG19S

NPN Silicon RF Transistor

文件：512.049 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BFG19S_08

NPN Silicon RF Transistor

文件：512.049 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

BFG19产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFG19

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    NPN Silicon RF Transistor

BFG19供应商更多...

更新时间：2025-8-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
BFG193
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
9698
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
BFG19SE6237
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
7350
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市凌旭科技有限公司
BFG193E6433
INFINEON
2016+
SOT-223
3500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
BFG198
PHI
24+
223
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
BFG197X
恩XP
23+
SOT-143
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
BFG193
PHI
22+
SOT223
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
BFG19SE6327
INFINEON/英飞凌
08+
SOT-223
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市润联芯城科技有限公司
BFG196
INFINEON/英飞凌
23+
SOT223-4
50000
原装正品 支持实单
询价
深圳市威雅利发展有限公司
BFG19SE6327
INFINEON
07+
SOT-223
5000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
BFG196
ON
23+
SOT23
20000
询价

BFG19芯片相关品牌

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