BFG193晶体管资料

  • BFG193别名:BFG193三极管、BFG193晶体管、BFG193晶体三极管

  • BFG193生产厂家:德国西门子AG公司

  • BFG193制作材料:Si-NPN

  • BFG193性质:超高频/特高频 (UHF)_宽频带放大 (A)

  • BFG193封装形式:贴片封装

  • BFG193极限工作电压:20V

  • BFG193最大电流允许值:0.08A

  • BFG193最大工作频率:8GHZ

  • BFG193引脚数:3

  • BFG193最大耗散功率

  • BFG193放大倍数

  • BFG193图片代号:H-99

  • BFG193vtest:20

  • BFG193htest:8000000000

  • BFG193atest:0.08

  • BFG193wtest:0

  • BFG193代换 BFG193用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BFG193

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

NPN Silicon RF Transistor • For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz • For linear broadband amplifiers • fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz

SIEMENS

西门子

BFG193

NPN Silicon RF Transistor

NPN Silicon RF Transistor • For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz • For linear broadband amplifiers • fT = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz

INFINEON

英飞凌

BFG193

Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION • Low Noise Figure NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 10 mA, f = 900 MHz • High Gain ︱ S21e︱ 2 = 13.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 30 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BFG193

Low Noise Figure

DESCRIPTION • Low Noise Figure NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 10 mA, f = 900 MHz • High Gain ︱ S21e︱ 2 = 13.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 30 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers.

ISC

无锡固电

BFG193

NPN Silicon RF Transistor

文件:62.15 Kbytes Page:6 Pages

INFINEON

英飞凌

BFG193

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223

ETC

知名厂家

BFG193

NPN Silicon RF Transistor

INFINEON

英飞凌

NPN Silicon RF Transistor

文件:62.15 Kbytes Page:6 Pages

INFINEON

英飞凌

RUGGED & LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS

文件:418.49 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Budget Pack for Metro 328 - with Assembled Metro ATmega328P

文件:140.48 Kbytes Page:3 Pages

ADAFRUIT

MINIATURE FUSES

文件:63.43 Kbytes Page:2 Pages

LITTELFUSE

力特

Side Actuated, Through Hole DIP Switches

文件:976.39 Kbytes Page:2 Pages

CTS

西迪斯

RUGGED and LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS

文件:115.71 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BFG193产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFG193

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    NPN Silicon RF Transistor

更新时间:2026-1-27 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
24+
SOT223
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON/英飞凌
25+
SOT-223
880000
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON
2026+
SOT-223
390
原装正品,假一罚十!
PHI
24+
SOT89
115
现货供应
SMD
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
INFINEON
22+
SOT-223
5000
只做原装鄙视假货15118075546
INFNEON
24+
TO223
21322
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
PHI
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
INFINEON
25+
SOT-23
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
Infineon
2025+
SOT-223
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售

BFG193数据表相关新闻

  • BFHK-1982+

    BFHK-1982+

    2023-3-22
  • BFG235

    进口代理

    2022-11-12
  • BFC233920474

    BFC233920474

    2022-10-13
  • BFP640

    BFP640INFINEON/英飞凌900019+SOT343原盘原标 一罚十优势现货

    2021-9-17
  • BF862215

    JFET - 25 V 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , GaN SiC SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET N-Channel 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , MESFET 射

    2020-8-5
  • BF998,现货销售,只售原装,兴中扬电子

    BF998,现货销售,只售原装,兴中扬电子

    2019-11-30