BFG193晶体管资料
BFG193别名：BFG193三极管、BFG193晶体管、BFG193晶体三极管
BFG193生产厂家：德国西门子AG公司
BFG193制作材料：Si-NPN
BFG193性质：超高频/特高频 （UHF）_宽频带放大 （A）
BFG193封装形式：贴片封装
BFG193极限工作电压：20V
BFG193最大电流允许值：0.08A
BFG193最大工作频率：8GHZ
BFG193引脚数：3
BFG193最大耗散功率：
BFG193放大倍数：
BFG193图片代号：H-99
BFG193vtest：20
BFG193htest：8000000000
- BFG193atest：0.08
BFG193wtest：0
BFG193代换 BFG193用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BFG193 | NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor • For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz • For linear broadband amplifiers • fT = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz | INFINEON 英飞凌 |   | |
BFG193 | Low Noise Figure DESCRIPTION • Low Noise Figure NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 10 mA, f = 900 MHz • High Gain ︱ S21e︱ 2 = 13.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 30 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. | ISC 无锡固电 | | |
BFG193 | Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • Low Noise Figure NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 10 mA, f = 900 MHz • High Gain ︱ S21e︱ 2 = 13.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 30 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BFG193 | NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers) NPN Silicon RF Transistor • For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz • For linear broadband amplifiers • fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz | SIEMENS 西门子 | | |
BFG193 | NPN Silicon RF Transistor • For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz\n• For linear broadband amplifiers\n• fT = 8 GHz\n F = 1.3 dB at 900 MHz | INFINEON 英飞凌 | | |
BFG193 | Trans GP BJT NPN 12V 0.08A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BFG193 | NPN Silicon RF Transistor 文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages | INFINEON 英飞凌 | | |
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BFG193产品属性
- 类型
描述
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Minimum DC Current Gain：
70@30mA@8V
- Maximum Transition Frequency：
8000(Typ)MHz
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
2V
- Maximum DC Collector Current：
0.08A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
12V
- Maximum Collector Base Voltage：
20V
- Material：
Si
- Configuration：
Single Dual Emitter
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
9698 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON |
2016+ |
SOT-223 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
INFINEO |
24+ |
SOT223 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON |
01+ |
SOT223 |
2616 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
PHI |
25+ |
SOT223 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT-223 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SMD |
25+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
INFINEON |
25+23+ |
SOT223 |
75242 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
SOT-223 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
25+ |
SOT-23 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
BFG193规格书下载地址
BFG193参数引脚图相关
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- c2000
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- c1209
- c1008
- c1000
- bul128a
- bul128
- bu406
- bq5
- biss0001
- bga
- BFG505
- BFG410W
- BFG410
- BFG403W
- BFG35
- BFG34
- BFG33X
- BFG33A
- BFG33
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- BFG325
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- BFG310
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2019-11-30
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