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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BFG11W | NPN 2 GHz power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability • Linear and non-l | Philips 飞利浦 |   | |
NPN 2 GHz power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability • Linear and non-l | Philips 飞利浦 | | ||
NPN 2 GHz power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability • Linear and non-l | Philips 飞利浦 | |
BFG11W产品属性
- 类型
描述
- 型号
BFG11W
- 制造商
PHILIPS
- 制造商全称
NXP Semiconductors
- 功能描述
NPN 2 GHz power transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
15000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
恩XP |
2016+ |
SOT-143 |
5660 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
PHI |
24+ |
SOT-143 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
PHI |
25+ |
SOT343 |
15000 |
原装正品,假一罚十! |
|||
PHI |
23+ |
SOT223 |
3600 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
PHI |
25+ |
SOT223 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
PHI |
25+ |
SOT223 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
|||
SOT-343 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
PHI |
22+ |
SOT122A |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
12238 |
公司现货库存,支持实单 |
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2019-11-30
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