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BFG11WSLASHX

NPN 2 GHz power transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplastic4-pindual-emitterSOT343package. FEATURES •Highpowergain •Highefficiency •Smallsizediscretepoweramplifier •1.9GHzoperatingarea •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •Linearandnon-l

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

更新时间:2025-8-1 16:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
SOT223
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全新原装现货,价格优势
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SOT122A
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