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AS30N03S

MOSFETs

ANBONSEMI

安邦

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

30V N-Channel Power

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01839 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

30A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:235.42 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.0152 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 16:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
美矽
2015+
SOT23-5
19898
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ANBON
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SOT-23
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SOT153
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DFN8
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原装,请咨询
ST
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DFN8
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ST/意法
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DFN8
19000
全新原装正品支持含税
ANB0N
24+
SOT23
40000
原装正品优势供应
IR
23+
8000
只做原装现货

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  • AS236-321LF全新原装正品公司大量现货随时可以发货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

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    产品说明 本AS2830是一款低功耗3A条可调和固定电压调节器,这是非常容易使用。它仅需要2到外部电阻设置可调版本的输出电压。本AS2830是专为低,提供了较低的电压差的高压应用和更快的瞬态响应。这个装置是一个使用低电压微处理器供电的理想选择要求较低辍学,更快的瞬态响应调节从3.8V的+2.5 V至用品和作为后稳压开关电源的应用。本AS2830的最大特点1.2伏的低压差。AS2830提供的过电流限制和禁止输入极性相反的充分保护,扭转载荷插入,阳性和负瞬态电压。上微调芯片的参考电压调整至1%。该设备的智商流入负载,提高了效率。本AS2830均采用3引脚TO- 220和TO -263及

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    2013-2-1