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B40D120	POWER MODULES DIODE Description The B40J../B40C../B40D.. series of B-modules use power diodes in half0bridge configuration. The semiconductors are electrically isolated from the metal base allowing common heatsink and compact assemblies to be built. They can be interconnected to form single or three phase bridges.	IRF	IRF
V40D120C	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: -	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V40D120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：101.78 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

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更新时间：2025-12-25 23:00:01

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2021-6-29
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2019-9-4
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2019-3-28