数据列表 AON2801(L);_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 120 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 700pF @ 10V
功率 - 最大值 1.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-DFN-EP（2x2）
文档
其它有关文件 AOS Green Policy
HTML 规格书 AON2801(L)
PCN 组件/产地 Mult Dev Assem/Test Site Chg 12/Dec/2018
RoHS指令信息 Alpha & Omega RoHS3
tks&b/rgds，
销售部/文小姐
深 圳 中 芯 器 材 有 限 公 司
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