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位置：首页 > IC中文资料第11996页 > AOI4N60

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOI4N60

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件：1.07713 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AOI4N60

600V,4A N-Channel MOSFET

文件：539.45 Kbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOI4N60

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

MGP4N60E

Insulated Gate Bipolar Transistor

Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications

MOTOROLA

摩托罗拉

MGP4N60E

Insulated Gate Bipolar Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

MGP4N60ED

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–block

ONSEMI

安森美半导体

PHB4N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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PHILIPS

飞利浦

PHP4N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

文件：80.57 Kbytes Page：9 Pages

PHILIPS

飞利浦

AOI4N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOI4N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

AOI4N60供应商更多...

更新时间：2026-3-18 20:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
AOI4N60
AOS专营现货
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AOS原装主营型号-可开原型号增税票
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深圳市科芯源微电子有限公司
AOI4N60其他被动元件
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AOI4N60
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AOI4N60
AOS
24+
原厂封装
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全新原装正品,现货销售
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