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C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP DESCRIPTION NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space applications. | NEC 瑞萨 |   | ||
C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP DESCRIPTION NECs NE32500 is a Hetero-Junction FET chip that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for commercial systems and industrial applications. NECs strin | CEL | | ||
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space application | RENESAS 瑞萨 | | ||
C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP DESCRIPTION NECs NE32500 is a Hetero-Junction FET chip that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for commercial systems and industrial applications. NECs strin | CEL | | ||
Multi-Bit Screwdriver / Nut Driver, 11-in-1, Ph, Sl, Sq, Torx Bits 文件：163.7 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
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NA/ |
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NEC |
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SMD |
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2012-12-28
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