型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AM1214-250

RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS

DESCRIPTION The AM1214-250 is a rugged, Class C common base device designed for new L - Band medium & long pulse radar applications. Minimal amplitude droop over a long pulse of 500 microsec. is guaranteed by a thermal design incorporating an overlay site-ballasted die geometry. • REFRACTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AM1214-250

RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

L-band radar LDMOS transistor

DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT502A) with a ceramic cap. The common source is connected to the flange. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on mounting base elimina

Philips

飞利浦

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

LDMOS L-band radar power transistor

ETC

知名厂家

AM1214-250产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AM1214-250

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-22 10:40:00
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