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AM1214-250中文资料

厂家型号

AM1214-250

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4

功能描述

RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS

两极晶体管 - BJT

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

AM1214-250数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The AM1214-250 is a rugged, Class C common base device designed for new L - Band medium & long pulse radar applications.

Minimal amplitude droop over a long pulse of 500 microsec. is guaranteed by a thermal design incorporating an overlay site-ballasted die geometry.

• REFRACTORY /GOLD METALLIZATION

• EMITTER SITE BALLASTING

• LOW RF THERMAL RESISTANCE

• INPUT/OUTPUT MATCHING

• OVERLAY GEOMETRY

• METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

• POUT = 300 W MIN. WITH 8.0 dB GAIN

• 1215-1400 MHz OPERATION

AM1214-250产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AM1214-250

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-12 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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