型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

DESCRIPTION The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source

STMICROELECTRONICS

意法半导体

30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

文件:371.51 Kbytes Page:9 Pages

TriQuint

Low Loss CWDM

文件:351.5 Kbytes Page:2 Pages

OPLINK

Low Loss CWDM

文件:351.5 Kbytes Page:2 Pages

OPLINK

Dial Type Knobs, Knurled Sides, Top Indictor Line, Solid Aluminum

文件:116.32 Kbytes Page:1 Pages

MULTICOMP

易络盟

更新时间:2025-12-26 18:47:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2517+
PowerSO-10RF
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
STMicroelectronics
23+
PowerSO-10RF
50000
只做原装正品
ST/意法半导体
21+
M243
8860
原装现货,实单价优
ST/意法半导体
21+
M243
8860
只做原装,质量保证
ST
26+
NA
60000
只有原装 可配单
HIROSE/广濑
2508+
/
473077
一级代理,原装现货
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ST/意法半导体
24+
M243
16900
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
ST
25+
原厂原封
16900
原装,请咨询
ST
23+
PowerSO-10RF
16900
正规渠道,只有原装!

AGN21030EF数据表相关新闻