型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
71V3557

3.3V 128Kx36 ZBT Synchronous Flow-Through SRAM with 3.3V I/O

RENESAS

瑞萨

封装/外壳:119-BGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:119-BGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs

Description The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or

IDT

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs

Description The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or

IDT

Synchronous ZBT SRAMs

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IDT

Synchronous ZBT SRAMs

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IDT

71V3557产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    71V3557

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-26 8:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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TQFP-100(14x14)
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TQFP100(14x20)
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现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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