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位置：首页 > IC中文资料第4228页 > 71V3556SA100BQI

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
71V3556SA100BQI

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BQI

封装/外壳：165-TBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

71V3556SA100BQI8

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BQI8

封装/外壳：165-TBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

71V3556SA100BG

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGG

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGGI

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGI

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BQ

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BQI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    71V3556SA100BQI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

71V3556SA100BQI供应商更多...

更新时间：2025-11-21 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
讯运(深圳/上海)电子有限公司
71V3556SA100BQI8
RENESAS(瑞萨)/IDT
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CABGA-165(13x15)
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