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位置：首页 > IC中文资料第4228页 > 71V3556SA100BGG

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
71V3556SA100BGG

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGG

封装/外壳：119-BGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

71V3556SA100BGG8

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGGI

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGGI8

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGGI

封装/外壳：119-BGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

71V3556SA100BG

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGI

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BQ

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos

RENESAS

瑞萨

71V3556SA100BGG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    71V3556SA100BGG

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

    否

  • 制造商

    IDT

71V3556SA100BGG供应商更多...

更新时间：2025-11-21 16:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
71V3556SA100BGG
RENESAS(瑞萨)/IDT
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PBGA119(14x22)
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讯运(深圳/上海)电子有限公司
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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IDT, Integrated Device Technol
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IDT, Integrated Device Technol
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深圳市芯为科技有限公司
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71V3556SA100BGG
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