| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 |   | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV verticaloutput applications. | ISC 无锡固电 | |
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