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N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Gatecanbedrivenby1.5V ●LowONresistance RDS(on)=3.2ΩMAX.@VGS=1.5V,ID=50mA RDS(on)=0.5ΩMAX.@VGS=4.0V,ID=1A

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

N-CHANNELMOSFETFORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SK1959isanN-channelverticalMOSFET.Because itcanbedrivenbyavoltageaslowas1.5Vanditisnot necessarytoconsideradrivecurrent,thisFETisidealasan actuatorforlow-currentportablesystemssuchasheadphone stereosand

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-6-21 20:06:01
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