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P-Channel Power MOSFET

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

ONSEMI

安森美半导体

General-Purpose Switching Device Applications

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

SANYO

三洋

General-Purpose Switching Device Applications

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SANYO

三洋

更新时间:2025-12-25 18:10:01
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ON Semiconductor
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原厂渠道,现货配单

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