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General-Purpose Switching Device Applications

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

P-Channel Power MOSFET

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

ONSEMI

安森美半导体

General-Purpose Switching Device Applications

文件:113.72 Kbytes Page:7 Pages

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

更新时间:2025-8-18 12:26:01
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