2SJ652价格

参考价格:¥5.9667

型号:2SJ652-1E 品牌:ON Semiconductor 备注:这里有2SJ652多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SJ652批发/采购报价,2SJ652行情走势销售排行榜,2SJ652报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ652

General-Purpose Switching Device Applications

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

SANYO

三洋

2SJ652

P-Channel Power MOSFET

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

ONSEMI

安森美半导体

2SJ652

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -28A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.038Ω(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

2SJ652

P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ

ONSEMI

安森美半导体

2SJ652

General-Purpose Switching Device Applications

文件:113.72 Kbytes Page:7 Pages

SANYO

三洋

P-Channel Power MOSFET

Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

ONSEMI

安森美半导体

General-Purpose Switching Device Applications

文件:113.72 Kbytes Page:7 Pages

SANYO

三洋

2SJ652产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ652

  • 功能描述

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 22:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO/三洋
25+
TO-220
860000
明嘉莱只做原装正品现货
onsemi
25+
TO-220ML
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
SANYO/三洋
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ON(安森美)
23+
TO-220F
11844
公司只做原装正品,假一赔十
SANYO
22+
TO-220
8000
原装正品支持实单
三洋
24+
12000
SANYO/三洋
22+
TO-220F
12245
现货,原厂原装假一罚十!
SANYO
06+
TO-220F
248
ON Semiconductor
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
三年内
1983
只做原装正品

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