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2SJ652中文资料

厂家型号

2SJ652

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296.87Kbytes

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2

功能描述

isc P-Channel MOSFET Transistor

MOSFET POWER MOSFET

数据手册

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生产厂商

ISC

2SJ652数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Drain Current -ID= -28A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.038Ω(Max)@VGS= -10V

APPLICATIONS

· Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

2SJ652产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ652

  • 功能描述

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 14:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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TO-220-3
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2SJ652-1E 价格

参考价格:¥5.9667

型号:2SJ652-1E 品牌:ON Semiconductor 备注:这里有2SJ652多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SJ652批发/采购报价,2SJ652行情走势销售排排榜,2SJ652报价。

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