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2SJ607-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SJ607-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)

RENESASRenesas Electronics America

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=

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MOSFieldEffectTransistor

Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-42A) ●LowCiss:Ciss=7500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)

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2SJ607-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ607-S

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2024-5-5 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
2020+
TO-262
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
NEC
2020+
TO-262
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
RENESAS
2023+
TO263
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NEC
23+
TO-262
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
RENESAS
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
NEC
08+(pbfree)
TO-262
8866
NEC
23+
T0-262
35890
RENESAS
23+
TO-263
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
RENESAS
22+
TO263
25000
原装现货,价格优惠,假一罚十
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2105+
TO-262
12000
原装正品

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