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Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK)

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-1-5 11:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-323
50000
原装正品 支持实单
RENESAS
24+
SOT23
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS
2511
SOT323
10100
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-323
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
HITACHI
23+
SOT323-3
14800
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
24+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON/安森美
2025+
SOT-23
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-323
50000
全新原装正品现货,支持订货
HITACHI/日立
20+
SOT-323
57600
现货很近!原厂很远!只做原装
HIT
24+
SOT-323
20000

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