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2SJ576

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ576

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK)

RENESAS

瑞萨

2SJ576

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

• Low on-resistance\n• 4 V gate drive device.\n• Small package (CMPAK);

RENESAS

瑞萨

2SJ576产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ576

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

更新时间:2026-5-13 19:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
04+
SOT323
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
SOT-323
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RENESAS
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SOT323
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十

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