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Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS = 1.1 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -150 mA) RDS = 2.2 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS = 1.1 Ω typ. (VGS = –10 V, ID = –150 mA) RDS = 2.2 Ω typ. (VGS = –4 V, ID = –150 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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