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2SJ574BPTL

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS = 1.1 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -150 mA) RDS = 2.2 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS = 1.1 Ω typ. (VGS = –10 V, ID = –150 mA) RDS = 2.2 Ω typ. (VGS = –4 V, ID = –150 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HIT
19+
SOT23
20000
20000
HITACHI/日立
25+
SOT23
860000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS/瑞萨
08+
SOT23
27611
进口原装现货
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24+
SOT23
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假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款
HITACHI
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HITACHI/日立
00+
SOT-23
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨全新特价2SJ574BPTL即刻询购立享优惠#长期有货
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RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
SOT-23
9200
新进库存/原装

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