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2SJ551(L)_15

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-12 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-263
7100
新进库存/原装
RENESAS
24+
TO-263
5000
全新原装正品,现货销售
NEC
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
RENESAS/瑞萨
2450+
TO-263
9485
只做原装正品现货或订货假一赔十!
HITACHI
22+
TO-263
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
HITACHI
1922+
SOT-263
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
HITACHI
05+
TO-263
1760
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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