型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ547-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.16 Ωtyp. • 4 V gete drive devices • High speed switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SJ547-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ547-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-11-22 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
185
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
17+
TO-263
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
HITACHI/日立
23+
TO-220
36688
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
2450+
TO-263
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
HIT
24+
TO-220F
20000
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
HITACHI
24+
TO-220F
27500
原装正品,价格最低!
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

2SJ547-E数据表相关新闻