型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-28 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
18500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
Sanyo
25+23+
Sot-23
34361
绝对原装正品全新进口深圳现货
HIT
24+
TO-220AB
20000
NEC
25+
WPAK8
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
RENESAS
24+
TO220
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
12+
TO220
5625
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-220
32500
原厂代理 终端免费提供样品

2SJ543/CJ芯片相关品牌

2SJ543/CJ数据表相关新闻