型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ543-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ543-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ543-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-11-21 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2511
TO220
5625
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
20+
TO-220F
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
25+23+
New
34749
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
HITACHI/日立
25+
TO-220
9800
全新原装现货,假一赔十
HIT
24+
TO-220AB
20000
RENESAS
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
R
24+
TO-220FM
5000
只做原装公司现货

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