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2SJ539

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features · Low on-resistance RDS(on) = 0.16 Wtyp. · Low drive current · 4 V gete drive devices · High speed switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ539

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SJ539

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ·   Low on-resistance\n    RDS(on) = 0.16 Wtyp.\n·   Low drive current\n·   4 V gete drive devices\n·   High speed switching;

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ539

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:107.62 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ539产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装类型:

    TO-220AB

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -10

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    360

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    210

  • Ciss (pF) 典型值:

    400

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    40

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

更新时间:2026-7-31 17:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HIT
24+
NA
4000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
24+
75000
RENESAS
25+
TO-220
28000
原装正品,可来电咨询
RENESAS
25+
TO-220
20000
公司现货
RENESAS
05+
TO-220
2621
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
RENESAS
2023+
TO-220
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS/瑞萨
25+
TO-220
90000
全新原装现货
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货

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