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2SJ539数据手册规格书PDF详情
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
· Low on-resistance
RDS(on) = 0.16 Wtyp.
· Low drive current
· 4 V gete drive devices
· High speed switching
2SJ539产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SJ539
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon P Channel MOS FET
更新时间：2025-10-11 15:21:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
2035880 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
24+ |
75000 |
||||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
RENESAS |
05+ |
TO-220 |
2621 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-220 |
5121 |
原厂原装正品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
35750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
||||
HIT |
24+ |
NA |
4000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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