型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ539-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features · Low on-resistance RDS(on) = 0.16 Wtyp. · Low drive current · 4 V gete drive devices · High speed switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ539-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ539-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box

更新时间:2026-3-16 19:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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02+
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
VBsemi/台湾微碧
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TO220
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代理全新原装现货,价格优势
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24+
TO-220AB
20000
SONY
01+
TO-247
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全新 发货1-2天
NEC
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全新原装正品价格最实惠 假一赔百
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TO252
5000
原装正品,假一罚十
RENESA
2511
TO-220
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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