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2SJ535

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ535

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.028 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ535

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -30A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 37mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

2SJ535

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ535

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.028 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:108.62 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ535产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装类型:

    TO-220FM

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -30

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    55

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    37

  • Ciss (pF) 典型值:

    2500

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    35

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

更新时间:2026-8-3 20:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
20+
TO-220F
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
1932+
TO-220F
227
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Renesas(瑞萨)
26+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
RENESAS
2511
TO-220F
347
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
2450+
TO-220F
18500
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
Hitachi
25+
66880
原装正品,欢迎询价
日立
25+
TO-220F
27500
原装正品,价格最低!
HIT
24+
TO-220F
20000
RENESAS
25+
TO-TO-220F
35628
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS
2021+
TO-220F
249
全新 发货1-2天

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