型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ533-E

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS (on)= 0.028 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS (on)= 0.028 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ533-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ533-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2025-11-23 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
TO220F
21574
郑重承诺只做原装进口现货
RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
85
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
1932+
TO-220F
227
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Renesas(瑞萨)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
RENESAS/瑞萨
20+
TO-220F
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
2450+
TO-220F
18500
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
HIT
24+
TO-220F
20000
RENESAS
17+
TO-220F
6200
100%原装正品现货
RENESAS/瑞萨
20+
TO-220F
32500
现货很近!原厂很远!只做原装

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