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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ505S-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ505S-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1) Tray

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1)

更新时间:2026-1-27 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
23+
NA
1206
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS
25+
10
公司现货库存
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
NEC
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
RENESAS
25+23+
TO-263
14113
绝对原装正品全新进口深圳现货
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO263
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
HIT
24+
TO-251
20000
HITACHI
2450+
TO263
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
VISHAY
18+
TO-92
85600
保证进口原装可开17%增值税发票

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