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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ505-L(E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ505-L(E)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    60V 50A 0.022@10V Cut Tape

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L) Box

更新时间:2026-1-31 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
08+
TO263
100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
25+
TO-263
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
23+
NA
1206
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS
25+23+
TO-263
14113
绝对原装正品全新进口深圳现货
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO263
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
HIT
24+
TO-251
20000
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
20000
公司只有原装 品质保证
VBSEMI
24+
TO263
48240

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