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MOS Field Effect Transistors

Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

KEXIN

科信电子

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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NEC

瑞萨

MOS Field Effect Transistors

文件:49.51 Kbytes Page:2 Pages

KEXIN

科信电子

P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

文件:246.16 Kbytes Page:8 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-5-24 22:30:01
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