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2SJ356

MOS Field Effect Transistors

Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

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科信电子

2SJ356

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving

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瑞萨

2SJ356

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

2SJ356

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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NEC

瑞萨

2SJ356

MOS Field Effect Transistors

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科信电子

2SJ356

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

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瑞萨

P-Channel Enhancement MOSFET

Application © PWM applications » Load switch « Power management

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P-Channel MOSFET

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科信电子

P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

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瑞萨

场效应管(MOSFEET)

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台舟电子

2SJ356产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ356

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 Bulk

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA

更新时间:2025-11-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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