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MOS Field Effect Transistors

Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

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科信电子

丝印代码:PR;MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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NEC

瑞萨

MOS Field Effect Transistors

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KEXIN

科信电子

更新时间:2026-3-11 9:30:01
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