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MOSFieldEffectTransistors

Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=0.95(VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50(VGS=-10V,ID=-1.0A)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

P-CHANNELMOSFET FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SJ356isaP-channelMOSFETofaverticaltypeandis aswitchingelementthatcanbedirectlydrivenbytheoutputofan ICoperatingat5V. ThisproducthasalowONresistanceandsuperbswitching characteristicsandisidealfordriving

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-CHANNELMOSFETFORHIGH-SPEEDSWITCHING

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

MOSFieldEffectTransistors

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KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
更新时间:2024-6-3 19:02:01
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