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MOS Field Effect Transistors

Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

KEXIN

科信电子

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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NEC

瑞萨

MOS Field Effect Transistors

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KEXIN

科信电子

2SJ356-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ356-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 Bulk

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA

更新时间:2025-11-25 17:32:02
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