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2SD2114晶体管资料

  • 2SD2114K别名：2SD2114K三极管、2SD2114K晶体管、2SD2114K晶体三极管

  • 2SD2114K生产厂家：TOY

  • 2SD2114K制作材料：Si-NPN

  • 2SD2114K性质：表面帖装型 （SMD）

  • 2SD2114K封装形式：贴片封装

  • 2SD2114K极限工作电压：25V

  • 2SD2114K最大电流允许值：0.5A

  • 2SD2114K最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD2114K引脚数：3

  • 2SD2114K最大耗散功率：

  • 2SD2114K放大倍数：β>560

  • 2SD2114K图片代号：H-15

  • 2SD2114Kvtest：25

  • 2SD2114Khtest：999900

  • 2SD2114Katest：.5

  • 2SD2114Kwtest：0

  • 2SD2114K代换 2SD2114K用什么型号代替：2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,

2SD2114价格

参考价格：￥0.3857

型号：2SD2114KT146V 品牌：Rohm 备注：这里有2SD2114多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2114批发/采购报价，2SD2114行情走势销售排行榜，2SD2114报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD2114

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURE •HighDCCurrentGain. •HighEmitter-BaseVoltage.VEBO=12V(Min.)

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2114

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES •HighDCcurrentgain. •Highemitter-basevoltage. •LowVCE(sat).

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SD2114

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighDCcurrentgain. •Highemitter-basevoltage. •LowVCE(sat).

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SD2114

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2114K

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114K

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114K

PowerTransistor

Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD2114K

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KS

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KT146V

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KT146W

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KU

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KV

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KW

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114_11

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2114_15

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

文件：413.88 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2114K

High-currentGainMediumPowerTransistor

文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114K

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114K_1

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114K_12

High-currentGainMediumPowerTransistor

文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KT146V

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2114KT146W

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2114产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2114

  • 制造商

    HTSEMI

  • 制造商全称

    Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

  • 功能描述

    TRANSISTOR(NPN)

2SD2114供应商更多...

更新时间：2024-6-5 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SD2114K
ROHM
2016+
SOT-23
4750
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
上海意淼电子科技有限公司
2SD2114KT146W
ROHM
23+
SOT23
20000
全新原装假一赔十
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SD2114KT146V
ROHM/罗姆
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SD2114K
ROHM/罗姆
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市华睿芯科技有限公司
2SD2114KT146V
ROHM
23+
SOT23
20000
原厂原装正品现货
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SD2114K
NEC
2023+
SOT-23
50000
原装现货
询价
深圳市宝芯创电子有限公司
2SD2114KT146V
ROHM/罗姆
18+
SOT23-3
34656
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
询价
深圳市中利达电子科技有限公司
2SD2114KT146W
ROHM
21+
N/A
30000
深圳通
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SD2114KT146V
ROHM/罗姆
1926+
SOT-23
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
深圳市博浩通科技有限公司
2SD2114K
ROHM
23+
SOT-23
31000
全新原装现货
询价

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