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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD2114KU | High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) | ROHM 罗姆 |   | |
NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). | HTSEMI 金誉半导体 | | ||
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). | JIANGSU 长电科技 | | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) | ROHM 罗姆 | |
2SD2114KU产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2114KU
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
2016+ |
SOT-23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
原装ROHM |
24+ |
SOT-23 |
6500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
9300 |
新进库存/原装 |
|||
ROHM/罗姆 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
663300 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
LRC |
23+ |
SOT-23 |
9091 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT-23 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
ROHM/罗姆 |
2447 |
SOT23 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ROHM |
1922+ |
SOT23 |
6598 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
2SD2114KU规格书下载地址
2SD2114KU参数引脚图相关
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