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2SD2114KT146V价格

参考价格:¥0.3857

型号:2SD2114KT146V 品牌:Rohm 备注:这里有2SD2114KT146V多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SD2114KT146V批发/采购报价,2SD2114KT146V行情走势销售排行榜,2SD2114KT146V报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2114KT146V

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

2SD2114KT146V

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

2SD2114KT146V产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2114KT146V

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 0.5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-20 20:00:00
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