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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD2114KW | High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) | ROHM 罗姆 |   | |
NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). | HTSEMI 金誉半导体 | | ||
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). | JIANGSU 长电科技 | | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) | ROHM 罗姆 | |
2SD2114KW产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2114KW
- 制造商
ROHM
- 制造商全称
Rohm
- 功能描述
High-current Gain MediumPower Transistor(20V, 0.5A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
2650 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
HITACHI |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
|||
ROHM |
96+ |
SOT23 |
2650 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
LRC |
23+ |
SOT-23 |
6736 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
德微 |
25+ |
SOT23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
HITACHI |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
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ROHM |
23+ |
SOT23 |
11092 |
2SD2114KW规格书下载地址
2SD2114KW参数引脚图相关
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