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2SD2114K晶体管资料

2SD2114K别名：2SD2114K三极管、2SD2114K晶体管、2SD2114K晶体三极管
2SD2114K生产厂家：TOY
2SD2114K制作材料：Si-NPN
2SD2114K性质：表面帖装型（SMD）
2SD2114K封装形式：贴片封装
2SD2114K极限工作电压：25V
2SD2114K最大电流允许值：0.5A
2SD2114K最大工作频率：<1MHZ或未知
2SD2114K引脚数：3
2SD2114K最大耗散功率：
2SD2114K放大倍数：β>560
2SD2114K图片代号：H-15
2SD2114Kvtest：25
2SD2114Khtest：999900
2SD2114Katest：0.5
2SD2114Kwtest：0

2SD2114K代换 2SD2114K用什么型号代替：2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,

2SD2114K价格

参考价格：￥0.3857

型号：2SD2114KT146V 品牌：Rohm 备注：这里有2SD2114K多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2114K批发/采购报价，2SD2114K行情走势销售排行榜，2SD2114K报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD2114K	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	Power Transistor Features High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat).	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2114K	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	High hFE&Muting Transistor 根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 •高hFE•静音用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	High-current Gain Medium Power Transistor 文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KS	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KT146V	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KT146W	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KU	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KV	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KW	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K_1	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K_12	High-current Gain Medium Power Transistor 文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KT146V	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KT146W	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KV	TRANSISTOR	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI

2SD2114K产品属性

类型
描述
封装：
SMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346
JEITA Package：
SC-59
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
20
Collector current Io(Ic) [A]：
0.5
hFE：
820 to 2700
hFE (Min.)：
820
hFE (Max.)：
2700
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1.3)

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更新时间：2026-5-14 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海意淼电子科技有限公司	2SD2114K	ROHM	23+	SOT23/	20000	全新原装假一赔十	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SD2114K	ROHM/罗姆	23+	SOT-23	100586	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD2114KT146V	ROHM/罗姆	25+	SOT23	32000	ROHM/罗姆全新特价2SD2114KT146V即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2SD2114K	ROHM/罗姆	24+	SOT23	8540	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
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深圳市正纳电子有限公司	2SD2114K	Rohm(罗姆)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价

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