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2SD166晶体管资料

  • 2SD166别名：2SD166三极管、2SD166晶体管、2SD166晶体三极管

  • 2SD166生产厂家：日本三肯公司

  • 2SD166制作材料：Si-NPN

  • 2SD166性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SD166封装形式：直插封装

  • 2SD166极限工作电压：200V

  • 2SD166最大电流允许值：10A

  • 2SD166最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD166引脚数：2

  • 2SD166最大耗散功率：100W

  • 2SD166放大倍数：

  • 2SD166图片代号：E-44

  • 2SD166vtest：200

  • 2SD166htest：999900

  • 2SD166atest：10

  • 2SD166wtest：100

  • 2SD166代换 2SD166用什么型号代替：BDW16,BU109,BU110,BU210,BUY20,BUY77,MJ15015,2SC1585,2SC1586,2SD665,3DD164C,

2SD166价格

参考价格：￥0.4904

型号：2SD1664T100Q 品牌：ROHM 备注：这里有2SD166多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD166批发/采购报价，2SD166行情走势销售排行榜，2SD166报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD1662

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 15A) APPLICATIONS · Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

2SD1663

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·High Collector-Base Breakdown Voltage-: V(BR)CBO= 1500V (Min.) ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications.

ISC

无锡固电

2SD1664

NPN Epitaxial Planar Transistors

Features: * Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)

WEITRON

2SD1664

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complements to 2SB1132

HTSEMI

金誉半导体

2SD1664

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

WINNERJOIN

永而佳

2SD1664

丝印代码：DAP；Medium Power Transistor (32V, 1A)

Medium Power Transistor (32V, 1A) Features 1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.) (lC / lB = 500mA / 50mA) 2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237

ROHM

罗姆

2SD1664

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1664 is an epitaxial planar type NPN silicon transistor. FEATURES *Low VCE(SAT): VCE (SAT)= 0.15V(Typ.) (IC/IB= 500mA/50mA) * Complement the 2SB1132.

UTC

友顺

2SD1664

Medium Power Transistor

Features Low VCE(sat) Compliments to 2SB1132

KEXIN

科信电子

2SD1664

NPN Silicon General Purpose Transistor

Features Power dissipation PCM : 0.5 W (Tamb= 25oC) Collector current ICM : 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating & Storage junction Temperature Tj, Tstg : -55 C~ +150 C O O

SECOS

喜可士

2SD1664

丝印代码：DAP；Medium Power Transistor(32V,1A)

FEATURES Low saturation voltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complement the 2SB1132. APPLICATIONS NPN silicon transistor.

DGNJDZ

南晶电子

2SD1664

Driver Transistor

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •启动用表面安装型三极管;

ROHM

罗姆

2SD1664PT

NPN Switching Transistor

VOLTAGE 32 Volts CURRENT 1 Ampere FEATURE * Suitable for high packing density. * Low voltage (Max.=32V) . * High saturation current capability. * Voltage controlled small signal switch. APPLICATION * Telephone and proferssional communction equipment. * Other switching applications.

CHENMKO

力勤

2SD1664T100R

Medium Power Transistor (32V, 1A)

Medium Power Transistor (32V, 1A) Features 1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.) (lC / lB = 500mA / 50mA) 2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237

ROHM

罗姆

2SD1666

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1133 ·High reliability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For low-frequency and general-purpose amplifier applications

ISC

无锡固电

2SD1666

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1133 ·High reliability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For low-frequency and general-purpose amplifier applications

SAVANTIC

2SD1666

LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Wide ASO(Adoption of MBIT process). • Micaless package facilitating easy mounting. • High reliability.

SANYO

三洋

2SD1667

50V/5A Switching Applications

Applications 1. Relay drivers, high-speed inverters, and other general high-current switching applications.

SANYO

三洋

2SD1668

50V/7A Switching Applications

50V/7A switching application Features 1. Low-saturation collector-to-emitter voltage : Vce(sat) = -0.4V max 2. Wide ASO leading to high resistance to breakdown. 3. Micaless package facilitating mounting.

SANYO

三洋

2SD1668

50V/7A Switching Applications

Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications. Features · Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.4V max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. · Micaless package facilitating mounting.

SANYO

三洋

2SD1669

50V/12A Switching Applications

Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other genral high-current switching applications. Features · Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. · Micaless package

SANYO

三洋

2SD1662

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

文件：164.88 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1662

High Current Switching Applications

文件：135.24 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1662

High DC Current Gain

文件：131.84 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1662_06

High Current Switching Applications

文件：135.24 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1663

Power Transistor - Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type - Power Switching

PANASONIC

松下

2SD1664

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SD1664

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

文件：798.95 Kbytes Page：2 Pages

MCC

2SD1664

丝印代码：DAP；Low saturation voltage:VCE(sat)=0.15V

文件：458.86 Kbytes Page：4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

2SD1664

Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package

文件：963.1 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SD1664

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMI

创瑞科技

2SD1664

NPN Transistors

文件：942.09 Kbytes Page：4 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SD1664

Plastic-Encapsulate Transistors

文件：230.12 Kbytes Page：2 Pages

HOTTECH

合科泰

2SD1664

Medium Power Transistor

文件：191.79 Kbytes Page：4 Pages

BILIN

银河微电

2SD1664

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

文件：1.64261 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSU

长电科技

2SD1664

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR

文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SD1664

丝印代码：DAP；Medium Power Transistor (32V, 1A)

文件：173.46 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1664

丝印代码：DAP；Medium Power Transistor (32V, 1A)

文件：129.94 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1664_09

Medium Power Transistor (32V, 1A)

文件：173.46 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1664_09

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR

文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SD1664_1

Medium Power Transistor (32V, 1A)

文件：129.94 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1664_15

NPN Transistors

文件：1.30907 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SD1664_15

General Purpose Transistor

文件：123.79 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

喜可士

2SD1664_15

NPN TRANSISTOR

文件：126.65 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SD1664G-X-AB3-R

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR

文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SD1664L-X-AB3-R

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR

文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SD1664P

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMI

创瑞科技

2SD1664-P

NPN Transistors

文件：1.30907 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SD1664-P

丝印代码：DAP*；NPN Transistors

文件：942.09 Kbytes Page：4 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SD1664Q

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMI

创瑞科技

2SD1664-Q

NPN Transistors

文件：1.30907 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SD1664-Q

丝印代码：DAQ*；NPN Transistors

文件：942.09 Kbytes Page：4 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SD1664-Q-TP

封装/外壳：TO-243AA 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 32V 1A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SD1664R

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMI

创瑞科技

2SD1664-R

丝印代码：DAR*；NPN Transistors

文件：942.09 Kbytes Page：4 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SD1664-R

NPN Transistors

文件：1.30907 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SD1664SQ

丝印代码：1664P；NPN Transistor

文件：1.96575 Mbytes Page：4 Pages

PJSEMI

平晶半导体

2SD1664T100P

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 32V 1A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD1664T100Q

Medium Power Transistor (32V, 1A)

文件：121.53 Kbytes Page：3 Pages

LITTELFUSE

力特

2SD1664-X-AB3-R

MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR

文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SD1666

Silicon NPN Power Transistors

文件：251.46 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SD166产品属性

  • 类型

    描述

  • Status：

    新设计非推荐

  • 封装：

    MPT3

  • 包装数量：

    1000

  • 最小独立包装数量：

    1000

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    SOT-89

  • JEITA Package：

    SC-62

  • Package Size[mm]：

    4.5x4.0 (t=1.5)

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]：

    0.5

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    32.0

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    1.0

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

2SD166供应商更多...

更新时间：2026-5-14 10:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市富利微电子科技有限公司
2SD1664
ROHM/罗姆
25+
SOT-89
33500
全新进口原装现货,假一罚十
询价
深圳市华来深电子有限公司
2SD1664T100R
ROHM
25+
SMD
20000
专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十
询价
深圳市高捷芯城科技有限公司
2SD1664T100R
Rohm(罗姆)
26+
TO-243AA
10548
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务!
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
2SD1664T100R
ROHM
24+
SOT
9860
全新原厂原包装现货
询价
深圳市金华微盛电子有限公司
2SD1664T100R
ROHM/罗姆
2019+
SOT-89
36000
原盒原包装 可BOM配套
询价
深圳市欧立现代科技有限公司
2SD1664-T100R
ROHM
24+
SOT-89
4500
原装现货,可开13%税票
询价
深圳市讯顺达科技有限公司
2SD1664G-R-AB3-R
UTC(友顺)
24+/25+
SOT-89
4000
UTC原厂一级代理商,价格优势!
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
2SD1664
CJ/长晶
20+
SOT-89
120000
原装正品 可含税交易
询价
深圳市力拓辉电子有限公司
2SD1664T100
ROHM
21+
SOT-89
45000
全新原装鄙视假货
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SD1664T100R
ROHM
2430+
SOT89
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价

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