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2SD1664T100R中文资料

厂家型号

2SD1664T100R

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功能描述

Medium Power Transistor (32V, 1A)

两极晶体管 - BJT NPN 32V 1A

数据手册

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生产厂商

ROHM

2SD1664T100R数据手册规格书PDF详情

Medium Power Transistor (32V, 1A)

Features

1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.)

(lC / lB = 500mA / 50mA)

2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237

2SD1664T100R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1664T100R

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 32V 1A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-11 19:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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