| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD1664R | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages | AITSEMI 创瑞科技 |   | |
2SD1664R | Transistors | WILLAS 威伦电子 | | |
Medium Power Transistor (32V, 1A) Medium Power Transistor (32V, 1A) Features 1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.) (lC / lB = 500mA / 50mA) 2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237 | ROHM 罗姆 | | ||
MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1664 is an epitaxial planar type NPN silicon transistor. FEATURES *Low VCE(SAT): VCE (SAT)= 0.15V(Typ.) (IC/IB= 500mA/50mA) * Complement the 2SB1132. | UTC 友顺 | | ||
Medium Power Transistor Features Low VCE(sat) Compliments to 2SB1132 | KEXIN 科信电子 | | ||
NPN Silicon General Purpose Transistor Features Power dissipation PCM : 0.5 W (Tamb= 25oC) Collector current ICM : 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating & Storage junction Temperature Tj, Tstg : -55 C~ +150 C O O | SECOS 喜可士 | | ||
Medium Power Transistor (32V, 1A) 文件：129.94 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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