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2SD1664T100R

Medium Power Transistor (32V, 1A)

Medium Power Transistor (32V, 1A) Features 1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.) (lC / lB = 500mA / 50mA) 2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237

ROHM

罗姆

2SD1664T100R

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 32V 1A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

Medium Power Transistor (32V, 1A)

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LITTELFUSE

力特

2SD1664T100R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1664T100R

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 32V 1A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-27 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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